聚焦電源領(lǐng)域前沿技術(shù) | 宏微科技亮相中國電源學(xué)會展覽會
11月11日,2023中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學(xué)會第二十六屆學(xué)術(shù)年會及展覽會(CPEEC & CPSSC 2023)在廣州隆重召開。會議通過大會報(bào)告、分會場報(bào)告、專題講座、技術(shù)報(bào)告、工業(yè)報(bào)告、墻報(bào)交流、現(xiàn)場展覽等形式對電源各個(gè)領(lǐng)域的新理論、新技術(shù)、新成果、新工藝及新產(chǎn)品進(jìn)行深入交流與研討。
本次學(xué)術(shù)年會上,宏微科技重點(diǎn)展出的車規(guī)級功率器件、碳化硅功率器件、高壓1700V IGBT產(chǎn)品、光儲領(lǐng)域功率器件等產(chǎn)品,受到了與會技術(shù)專家和合作伙伴的高度關(guān)注。
同期,宏微科技受邀發(fā)表了《新型功率半導(dǎo)體在儲能PCS中的應(yīng)用》的演講,向與會者介紹了宏微模塊產(chǎn)品在儲能變流器(PCS)領(lǐng)域的應(yīng)用研究、PCS產(chǎn)品應(yīng)用案例等。內(nèi)容涵蓋IGBT功率器件在不同功率段、兩電平和三電平不同拓?fù)湫褪絻δ芟到y(tǒng)的應(yīng)用;不同應(yīng)用場景(戶儲、工商業(yè)儲能、電站儲能)下IGBT功率模塊封裝、拓?fù)?、芯片的選型;SiC SBD或SiC MOSFET與IGBT的混合應(yīng)用案例;并展示了NPC-I, NPC-T, ANPC使用混合模塊后在成本和性能上的優(yōu)勢。
隨著電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,未來公司將繼續(xù)深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域,加強(qiáng)自主創(chuàng)新,為市場提供高可靠、高性能功率半導(dǎo)體芯片和模塊,為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與解決方案,不斷提升用電效率,改善用電質(zhì)量。